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Lexikon der Physik: Molekularstrahlepitaxie

Molekularstrahlepitaxie

Karl Eberl, Stuttgart, und Nikolaus Nestle, Leipzig

Die Molekularstrahlepitaxie (Molecular Beam Epitaxy, MBE) ist eine Methode zum atomlagengenauen Aufwachsen von kristallinen Festkörperschichten, die aus gerichteten Molekularstrahlen im Ultrahochvakuum (UHV) abgeschieden werden. Im Vergleich zu anderen Methoden der Epitaxie (z.B. chemische Gasphasenabscheidung) ermöglicht die MBE eine besonders gute Kontrolle der Wachstumsprozesse.

Geschichte

Die Molekularstrahlepitaxie wurde 1971 von A. Cho an den Bell Laboratories entwickelt. Ziel der Methode war von Anfang an die Produktion von definierten dünnen Kristallschichten und von Übergittern aus verschiedenen Halbleitern.

Grundprinzipien

Gegenüber anderen Techniken zur Herstellung von dünnen Schichten zeichnet sich die MBE vor allem durch zwei Eigenschaften aus:

• Die Materialzufuhr durch die Molekularstrahlen kann atomlagengenau reguliert werden, so daß besonders dünne, definierte Schichten aufgewachsen werden können. Der Preis hierfür ist aber eine relativ geringe Geschwindigkeit des Schichtwachstums, so daß die Herstellung von ›dicken‹ Schichten (größer als einige μm) extrem zeitaufwendig ist.

• Es können epitaktische Schichten hergestellt werden, die mit anderen Verfahren auf Grund der Existenz von Mischungslücken überhaupt nicht zugänglich wären.

• Die Arbeit mit Molekularstrahlen im UHV erlaubt eine besonders hohe Reinheit der gewachsenen Proben.

Möglichkeiten und Anwendungen

Mit der MBE können dünne Schichten von Materialien hergestellt werden, deren Eigenschaften sich stark von denen der entsprechenden Volumenkristalle unterscheiden. So wird beispielsweise innerhalb gewisser Grenzen dem aufgewachsenen Material zunächst die Kristallstruktur und die Gitterkonstante des Substratmaterials aufgeprägt (›pseudomorphes Wachstum‹). Ab einer (von der Größe der Gitterfehlanpassung abhängigen) Schichtdicke geht die Gitteranpassung jedoch verloren: es bilden sich Fehlstellen und Versetzungen, und die Kristallstruktur geht in die Volumenstruktur des aufgewachsenen Materials über.

Das Hauptanwendungsgebiet der MBE ist die Herstellungen von Heterostrukturen aus III-V-Halbleitern, wie sie beispielsweise für Halbleiterlaser (Diodenlaser), Hallsensoren und spezielle Hochleistungstransistoren (HBT, HEMT) eingesetzt werden.

Ein weiteres bedeutendes Anwendungsgebiet der MBE ist das Aufwachsen von Metallen auf Halbleitern oder Quarzsubstraten. Solche Strukturen werden in der Zukunft eventuell für Speichermedien und spezielle Halbleiterbauelemente von Interesse sein.

Inselwachstum

Bis vor kurzem war man beim MBE-Wachstum nur an glatten Schichten interessiert. Vor allem bei Materialien mit stark unterschiedlichen Gitterkonstanten bilden sich diese aber nur unter optimalen Bedingungen (Substrattemperatur, Schichtdicke,...). Andernfalls entstehen Versetzungen in der Schicht ,oder sie zerreißt sogar in einzelne ›Wachstumsinseln‹. Bei Wahl der richtigen Bedingungen (sog. Stranski-Krastanow-Wachstum) können diese Wachstumsinseln wiederum zur Herstellung von interessanten Halbleiter-Heterostrukturen ausgenützt werden; die dann entstehenden Cluster sind alle annähernd gleich groß und stellen gewissermaßen ›von selbst‹ wachsende Quantenpunkte dar (siehe Heterostrukturen. Die so herstellbaren Quantenpunkte sind kleiner als man sie durch direktes Strukturieren von Quantenfilmen zur Zeit herstellen kann.

Ausrüstung

MBE-Prozesse finden grundsätzlich im Ultrahochvakuum statt (üblicherweise bei Drucken von einigen 10-14 bar). Das hat vor allem zwei Gründe: Definierte Molekularstrahlen können sich nur in einem Vakuum mit hinreichend großer freier Weglänge ausbreiten. Außerdem kommt es bei der Anlagerung des Materials auf dem Substrat zu einem Wettbewerb mit Hintergrundrestgasen, die im Gegensatz zum Material aus dem Molekularstrahl die ganze Zeit auf das Substrat einwirken und unter Umständen einen hohen Haftkoeffizienten – also eine hohe Wahrscheinlichkeit zur Adsorption und anschließendem Einbau in die wachsende Schicht – haben (dies trifft insbesondere auf O und C zu; deren Verbindungen sollten deshalb nur mit einem Partialdruck von weniger als 10-13 mbar in der Kammer enthalten sein). Soll sichergestellt werden, daß bei einem langsamen Schichtwachstum im Bereich von μm / h hinreichend reine Schichten entstehen, sind die oben genannten niedrigen Arbeitsdrucke notwendig.

Eine Skizze zum Aufbau einer MBE-Anlage ist in Abb.1 dargestellt.

Als Quellen für die Molekularstrahlen dienen normalerweise sogenannte Effusionszellen. Eine schematische Darstellung eines verbreiteten Typs solcher Zellen ist in Abb.2 gegeben. Bei vielen MBE-Prozessen werden die einzelnen Bestandteile der zu wachsenden Strukturen in elementarer Form in den Effusionszellen verdampft. Daneben gewinnen jedoch Verfahren, bei denen mit Molekularstrahlen leicht flüchtiger Verbindungen der Elemente gearbeitet wird, immer mehr an Bedeutung. Solche Methoden bezeichnet man normalerweise als Metal Organic Molecular Beam Epitaxy (MOMBE). Ein kurzer Vergleich der Vor- und Nachteile beider Methoden findet sich in der Tabelle.

Eine entscheidende Komponente eines MBE-Systems ist auch die Substratmontage: Idealerweise sollte diese im Hochvakuum selbst erfolgen können und sowohl eine Rotation des Substrats (zur Verbesserung der Homogenität) als auch die Kontrolle der Substrattemperatur zulassen.

Die Substrattemperatur ist ein entscheidender Parameter für die Qualität der MBE-Schichten. Bei geeigneten Temperaturen können auftreffende Atome an der Oberfläche bis zu einer Stufenkante diffundieren und werden dort gebunden. Bei zu hohen Temperaturen wird die Bindungswahrscheinlichkeit verringert, während bei zu niedrigen Temperaturen die Schichten rauh werden, da die Atome nicht mehr nur an Stufenkanten bevorzugt angelagert werden.

Perspektiven

In situ Analyse

Als UHV-Verfahren bietet die MBE vielfältige Möglichkeiten, die epitaktischen Schichten direkt während des Wachstums beispielsweise durch Elektronenbeugung oder durch Auger-Elektronenspektroskopie zu analysieren. Diese online-Kontrolle ermöglicht es einerseits, die Wachstumsrate zu bestimmen, und erlaubt andererseits auch eine sofortige Erkennung von Abweichungen vom erwünschten/erwarteten Wachstumsverhalten.

In situ Strukturierung

Mit Hilfe von geeigneten Molekularstrahlen (z.B. AsBr3 oder AsCl3) können in der MBE Halbleiterstrukturen nicht nur atomlagengenau aufgewachsen werden, sondern auch mit der gleichen Genauigkeit wieder abgetragen werden (siehe Abb.3 ). Dies erlaubt es, die MBE auch zur Strukturierung der aufgewachsenen Schichten einzusetzen und auf die so entstanden Strukturen unmittelbar neue Schichten anderer Zusammensetzung wieder aufzuwachsen. Sowohl beim Wachstum als auch beim Ätzen gibt es in der MBE eine deutliche Abhängigkeit der Raten von den jeweiligen Kristallflächen. Dies erlaubt es, extrem feine Strukturen durch selektives Überwachsen vorstrukturierter Substrate herzustellen.

Neue Materialsysteme

Neben der mittlerweile schon fast ›klassischen‹ MBE von III-V-Halbleitern wie GaAs/AlGaAs wurden in den letzten Jahren zahlreiche Fortschritte bei der Herstellung von Schichten aus Nitriden der Elemente Al, Ga und In (vor allem für optoelektronische Bauelemente im blauen Spektralbereich von Bedeutung) sowie bei zunehmend komplexeren Gemischen von II-VI-Halbleitern (BeMgMnZnCdHgSSeTe), neuen III-V-Materialien und Gruppe IV-Halbleitern (SiGeCSn) gemacht. In allen Halbleitersystemen ist eine zunehmende Tendenz zu immer komplizierteren Legierungszusammensetzungen zu beobachten. Daneben gewinnt auch die MBE von Metallschichten immer größere Bedeutung.

MBE in der industriellen Bauelementefertigung

MBE-Schichten spielen technisch vor allem für die Herstellung schneller, rauscharmer Schaltelemente eine Rolle, wie sie z.B. in der Mikrowellentechnik, für Mobiltelefone und ähnliche Geräte benötigt werden. Abb.4 zeigt ein Foto einer MBE-Anlage für die industrielle Produktion.

Molekularstrahlepitaxie: Vergleich der Vor- und Nachteile der MBE- und MOMBE-Methoden.

MBE MOMBE
feste Ausgangsstoffe aus Tiegeln verdampft leicht flüchtige Ausgangsstoffe treffen durch Gaseinlaßsysteme auf Substrat
hohe Quellentemperatur keine hohen Quellentemperaturen
vorwiegend physikalische Deposition auf Substrat chemische Zersetzung des Molekularstrahls auf dem Substrat
geringe Gefährdung bei unbeabsichtigtem Austritt von Quellenmaterial Gefährdung durch teilweise hochgiftige Gase in Quellenmaterial
Nur benötigte Substanzen in Molekularstrahlen enthalten Entstehung von Restsubstanzen bei Atomeinbau in Kristall
Haftkoeffizienten fest vorgegeben Unterschiedliche Haftkoeffizienten je nach genutzter Verbindung



Molekularstrahlepitaxie 1: Schematischer Aufbau einer MBE-Anlage



Molekularstrahlepitaxie 2: Schematischer Aufbau einer Effusionszelle.



Molekularstrahlepitaxie 3:in-situ RHEED-Beobachtung des Aufwachsens (I), Abtragens(III) und Wiederaufwachsens (IV) einer GaAs-Schicht unter Verwendung von AsBr3 als Ätzmittel. Die RHEED-Oszillationen zeigen, daß die Wachstums- und Ätzprozesse weitgehend atomlagenweise erfolgen.



Molekularstrahlepitaxie 4: Production MBE System der Firma VG semicon.

Literatur:
M.A. Herman, H. Sitter: Molecular Beam Epitaxy – Fundamentals and Current Status, 1996, Heidelberg, Springer.
A.Y. Cho: Applied Physics Letters19 467, 1971.

  • Die Autoren
Mitarbeiter Band I und II

Redaktion:

Silvia Barnert
Dr. Matthias Delbrück
Dr. Reinald Eis
Natalie Fischer
Walter Greulich (Schriftleiter)
Carsten Heinisch
Sonja Nagel
Dr. Gunnar Radons
MS (Optics) Lynn Schilling-Benz
Dr. Joachim Schüller

Mitarbeiter Band III

Redaktion:

Christine Weber
Ulrich Kilian

Autoren (A) und Berater (B):

In eckigen Klammern steht das Autorenkürzel, die Zahl in der runden Klammer ist die Fachgebietsnummer; eine Liste der Fachgebiete findet sich im Vorwort.

Katja Bammel, Berlin [KB2] (A) (13)
Prof. Dr. W. Bauhofer, Hamburg (B) (20, 22)
Sabine Baumann, Heidelberg [SB] (A) (26)
Dr. Günther Beikert, Viernheim [GB1] (A) (04, 10, 25)
Prof. Dr. Hans Berckhemer, Frankfurt [HB1] (A, B) (29)
Prof. Dr. Klaus Bethge, Frankfurt (B) (18)
Prof. Tamás S. Biró, Budapest [TB2] (A) (15)
Dr. Thomas Bührke, Leimen [TB] (A) (32)
Angela Burchard, Genf [AB] (A) (20, 22)
Dr. Matthias Delbrück, Dossenheim [MD] (A) (12, 24, 29)
Dr. Wolfgang Eisenberg, Leipzig [WE] (A) (15)
Dr. Frank Eisenhaber, Heidelberg [FE] (A) (27; Essay Biophysik)
Dr. Roger Erb, Kassel [RE1] (A) (33)
Dr. Angelika Fallert-Müller, Groß-Zimmern [AFM] (A) (16, 26)
Dr. Andreas Faulstich, Oberkochen [AF4] (A) (Essay Adaptive Optik)
Prof. Dr. Rudolf Feile, Darmstadt (B) (20, 22)
Stephan Fichtner, Dossenheim [SF] (A) (31)
Dr. Thomas Filk, Freiburg [TF3] (A) (10, 15)
Natalie Fischer, Dossenheim [NF] (A) (32)
Prof. Dr. Klaus Fredenhagen, Hamburg [KF2] (A) (Essay Algebraische Quantenfeldtheorie)
Thomas Fuhrmann, Heidelberg [TF1] (A) (14)
Christian Fulda, Heidelberg [CF] (A) (07)
Frank Gabler, Frankfurt [FG1] (A) (22; Essay Datenverarbeitungssysteme künftiger Hochenergie- und Schwerionen-Experimente)
Dr. Harald Genz, Darmstadt [HG1] (A) (18)
Michael Gerding, Kühlungsborn [MG2] (A) (13)
Andrea Greiner, Heidelberg [AG1] (A) (06)
Uwe Grigoleit, Göttingen [UG] (A) (13)
Prof. Dr. Michael Grodzicki, Salzburg [MG1] (A, B) (01, 16; Essay Dichtefunktionaltheorie)
Prof. Dr. Hellmut Haberland, Freiburg [HH4] (A) (Essay Clusterphysik)
Dr. Andreas Heilmann, Chemnitz [AH1] (A) (20, 21)
Carsten Heinisch, Kaiserslautern [CH] (A) (03)
Dr. Hermann Hinsch, Heidelberg [HH2] (A) (22)
Jens Hoerner, Hannover [JH] (A) (20)
Dr. Dieter Hoffmann, Berlin [DH2] (A, B) (02)
Renate Jerecic, Heidelberg [RJ] (A) (28)
Dr. Ulrich Kilian, Hamburg [UK] (A) (19)
Thomas Kluge, Mainz [TK] (A) (20)
Achim Knoll, Straßburg [AK1] (A) (20)
Andreas Kohlmann, Heidelberg [AK2] (A) (29)
Dr. Barbara Kopff, Heidelberg [BK2] (A) (26)
Dr. Bernd Krause, Karlsruhe [BK1] (A) (19)
Ralph Kühnle, Heidelberg [RK1] (A) (05)
Dr. Andreas Markwitz, Dresden [AM1] (A) (21)
Holger Mathiszik, Bensheim [HM3] (A) (29)
Mathias Mertens, Mainz [MM1] (A) (15)
Dr. Dirk Metzger, Mannheim [DM] (A) (07)
Dr. Rudi Michalak, Warwick, UK [RM1] (A) (23)
Helmut Milde, Dresden [HM1] (A) (09; Essay Akustik)
Guenter Milde, Dresden [GM1] (A) (12)
Maritha Milde, Dresden [MM2] (A) (12)
Dr. Christopher Monroe, Boulder, USA [CM] (A) (Essay Atom- und Ionenfallen)
Dr. Andreas Müller, Kiel [AM2] (A) (33; Essay Alltagsphysik)
Dr. Nikolaus Nestle, Regensburg [NN] (A) (05)
Dr. Thomas Otto, Genf [TO] (A) (06; Essay Analytische Mechanik)
Prof. Dr. Harry Paul, Berlin [HP] (A) (13)
Cand. Phys. Christof Pflumm, Karlsruhe [CP] (A) (06, 08)
Prof. Dr. Ulrich Platt, Heidelberg [UP] (A) (Essay Atmosphäre)
Dr. Oliver Probst, Monterrey, Mexico [OP] (A) (30)
Dr. Roland Andreas Puntigam, München [RAP] (A) (14; Essay Allgemeine Relativitätstheorie)
Dr. Gunnar Radons, Mannheim [GR1] (A) (01, 02, 32)
Prof. Dr. Günter Radons, Stuttgart [GR2] (A) (11)
Oliver Rattunde, Freiburg [OR2] (A) (16; Essay Clusterphysik)
Dr. Karl-Henning Rehren, Göttingen [KHR] (A) (Essay Algebraische Quantenfeldtheorie)
Ingrid Reiser, Manhattan, USA [IR] (A) (16)
Dr. Uwe Renner, Leipzig [UR] (A) (10)
Dr. Ursula Resch-Esser, Berlin [URE] (A) (21)
Prof. Dr. Hermann Rietschel, Karlsruhe [HR1] (A, B) (23)
Dr. Peter Oliver Roll, Mainz [OR1] (A, B) (04, 15; Essay Distributionen)
Hans-Jörg Rutsch, Heidelberg [HJR] (A) (29)
Dr. Margit Sarstedt, Newcastle upon Tyne, UK [MS2] (A) (25)
Rolf Sauermost, Waldkirch [RS1] (A) (02)
Prof. Dr. Arthur Scharmann, Gießen (B) (06, 20)
Dr. Arne Schirrmacher, München [AS5] (A) (02)
Christina Schmitt, Freiburg [CS] (A) (16)
Cand. Phys. Jörg Schuler, Karlsruhe [JS1] (A) (06, 08)
Dr. Joachim Schüller, Mainz [JS2] (A) (10; Essay Analytische Mechanik)
Prof. Dr. Heinz-Georg Schuster, Kiel [HGS] (A, B) (11; Essay Chaos)
Richard Schwalbach, Mainz [RS2] (A) (17)
Prof. Dr. Klaus Stierstadt, München [KS] (A, B) (07, 20)
Cornelius Suchy, Brüssel [CS2] (A) (20)
William J. Thompson, Chapel Hill, USA [WJT] (A) (Essay Computer in der Physik)
Dr. Thomas Volkmann, Köln [TV] (A) (20)
Dipl.-Geophys. Rolf vom Stein, Köln [RVS] (A) (29)
Patrick Voss-de Haan, Mainz [PVDH] (A) (17)
Thomas Wagner, Heidelberg [TW2] (A) (29; Essay Atmosphäre)
Manfred Weber, Frankfurt [MW1] (A) (28)
Markus Wenke, Heidelberg [MW3] (A) (15)
Prof. Dr. David Wineland, Boulder, USA [DW] (A) (Essay Atom- und Ionenfallen)
Dr. Harald Wirth, Saint Genis-Pouilly, F [HW1] (A) (20)Steffen Wolf, Freiburg [SW] (A) (16)
Dr. Michael Zillgitt, Frankfurt [MZ] (A) (02)
Prof. Dr. Helmut Zimmermann, Jena [HZ] (A) (32)
Dr. Kai Zuber, Dortmund [KZ] (A) (19)

Mitarbeiter Band IV

Dr. Ulrich Kilian (verantwortlich)
Christine Weber

Redaktionsassistenz:

Matthias Beurer

Physikhistorische Beratung:

Priv.-Doz. Dr. Dieter Hoffmann, Berlin

Autoren (A) und Berater (B):

In eckigen Klammern steht das Autorenkürzel, die Zahl in der runden Klammer ist die Fachgebietsnummer; eine Liste der Fachgebiete findet sich im Vorwort.

Markus Aspelmeyer, München [MA1] (A) (20)
Dr. Katja Bammel, Cagliari, I [KB2] (A) (13)
Doz. Dr. Hans-Georg Bartel, Berlin [HGB] (A) (02)
Steffen Bauer, Karlsruhe [SB2] (A) (20, 22)
Dr. Günther Beikert, Viernheim [GB1] (A) (04, 10, 25)
Prof. Dr. Hans Berckhemer, Frankfurt [HB1] (A, B) (29)
Dr. Werner Biberacher, Garching [WB] (B) (20)
Prof. Tamás S. Biró, Budapest [TB2] (A) (15)
Prof. Dr. Helmut Bokemeyer, Darmstadt [HB2] (A, B) (18)
Dr. Ulf Borgeest, Hamburg [UB2] (A) (Essay Quasare)
Dr. Thomas Bührke, Leimen [TB] (A) (32)
Jochen Büttner, Berlin [JB] (A) (02)
Dr. Matthias Delbrück, Dossenheim [MD] (A) (12, 24, 29)
Karl Eberl, Stuttgart [KE] (A) (Essay Molekularstrahlepitaxie)
Dr. Dietrich Einzel, Garching [DE] (A) (20)
Dr. Wolfgang Eisenberg, Leipzig [WE] (A) (15)
Dr. Frank Eisenhaber, Wien [FE] (A) (27)
Dr. Roger Erb, Kassel [RE1] (A) (33; Essay Optische Erscheinungen der Atmosphäre)
Dr. Christian Eurich, Bremen [CE] (A) (Essay Neuronale Netze)
Dr. Angelika Fallert-Müller, Groß-Zimmern [AFM] (A) (16, 26)
Stephan Fichtner, Heidelberg [SF] (A) (31)
Dr. Thomas Filk, Freiburg [TF3] (A) (10, 15; Essay Perkolationstheorie)
Natalie Fischer, Walldorf [NF] (A) (32)
Dr. Harald Fuchs, Münster [HF] (A) (Essay Rastersondenmikroskopie)
Dr. Thomas Fuhrmann, Mannheim [TF1] (A) (14)
Christian Fulda, Hannover [CF] (A) (07)
Dr. Harald Genz, Darmstadt [HG1] (A) (18)
Michael Gerding, Kühlungsborn [MG2] (A) (13)
Prof. Dr. Gerd Graßhoff, Bern [GG] (A) (02)
Andrea Greiner, Heidelberg [AG1] (A) (06)
Uwe Grigoleit, Weinheim [UG] (A) (13)
Prof. Dr. Michael Grodzicki, Salzburg [MG1] (B) (01, 16)
Gunther Hadwich, München [GH] (A) (20)
Dr. Andreas Heilmann, Halle [AH1] (A) (20, 21)
Carsten Heinisch, Kaiserslautern [CH] (A) (03)
Dr. Christoph Heinze, Hamburg [CH3] (A) (29)
Dr. Marc Hemberger, Heidelberg [MH2] (A) (19)
Florian Herold, München [FH] (A) (20)
Dr. Hermann Hinsch, Heidelberg [HH2] (A) (22)
Priv.-Doz. Dr. Dieter Hoffmann, Berlin [DH2] (A, B) (02)
Dr. Georg Hoffmann, Gif-sur-Yvette, FR [GH1] (A) (29)
Dr. Gert Jacobi, Hamburg [GJ] (B) (09)
Renate Jerecic, Heidelberg [RJ] (A) (28)
Dr. Catherine Journet, Stuttgart [CJ] (A) (Essay Nanoröhrchen)
Prof. Dr. Josef Kallrath, Ludwigshafen, [JK] (A) (04; Essay Numerische Methoden in der Physik)
Priv.-Doz. Dr. Claus Kiefer, Freiburg [CK] (A) (14, 15; Essay Quantengravitation)
Richard Kilian, Wiesbaden [RK3] (22)
Dr. Ulrich Kilian, Heidelberg [UK] (A) (19)
Dr. Uwe Klemradt, München [UK1] (A) (20, Essay Phasenübergänge und kritische Phänomene)
Dr. Achim Knoll, Karlsruhe [AK1] (A) (20)
Dr. Alexei Kojevnikov, College Park, USA [AK3] (A) (02)
Dr. Berndt Koslowski, Ulm [BK] (A) (Essay Ober- und Grenzflächenphysik)
Dr. Bernd Krause, München [BK1] (A) (19)
Dr. Jens Kreisel, Grenoble [JK2] (A) (20)
Dr. Gero Kube, Mainz [GK] (A) (18)
Ralph Kühnle, Heidelberg [RK1] (A) (05)
Volker Lauff, Magdeburg [VL] (A) (04)
Priv.-Doz. Dr. Axel Lorke, München [AL] (A) (20)
Dr. Andreas Markwitz, Lower Hutt, NZ [AM1] (A) (21)
Holger Mathiszik, Celle [HM3] (A) (29)
Dr. Dirk Metzger, Mannheim [DM] (A) (07)
Prof. Dr. Karl von Meyenn, München [KVM] (A) (02)
Dr. Rudi Michalak, Augsburg [RM1] (A) (23)
Helmut Milde, Dresden [HM1] (A) (09)
Günter Milde, Dresden [GM1] (A) (12)
Marita Milde, Dresden [MM2] (A) (12)
Dr. Andreas Müller, Kiel [AM2] (A) (33)
Dr. Nikolaus Nestle, Leipzig [NN] (A, B) (05, 20; Essays Molekularstrahlepitaxie, Ober- und Grenzflächenphysik und Rastersondenmikroskopie)
Dr. Thomas Otto, Genf [TO] (A) (06)
Dr. Ulrich Parlitz, Göttingen [UP1] (A) (11)
Christof Pflumm, Karlsruhe [CP] (A) (06, 08)
Dr. Oliver Probst, Monterrey, Mexico [OP] (A) (30)
Dr. Roland Andreas Puntigam, München [RAP] (A) (14)
Dr. Andrea Quintel, Stuttgart [AQ] (A) (Essay Nanoröhrchen)
Dr. Gunnar Radons, Mannheim [GR1] (A) (01, 02, 32)
Dr. Max Rauner, Weinheim [MR3] (A) (15; Essay Quanteninformatik)
Robert Raussendorf, München [RR1] (A) (19)
Ingrid Reiser, Manhattan, USA [IR] (A) (16)
Dr. Uwe Renner, Leipzig [UR] (A) (10)
Dr. Ursula Resch-Esser, Berlin [URE] (A) (21)
Dr. Peter Oliver Roll, Ingelheim [OR1] (A, B) (15; Essay Quantenmechanik und ihre Interpretationen)
Prof. Dr. Siegmar Roth, Stuttgart [SR] (A) (Essay Nanoröhrchen)
Hans-Jörg Rutsch, Walldorf [HJR] (A) (29)
Dr. Margit Sarstedt, Leuven, B [MS2] (A) (25)
Rolf Sauermost, Waldkirch [RS1] (A) (02)
Matthias Schemmel, Berlin [MS4] (A) (02)
Michael Schmid, Stuttgart [MS5] (A) (Essay Nanoröhrchen)
Dr. Martin Schön, Konstanz [MS] (A) (14)
Jörg Schuler, Taunusstein [JS1] (A) (06, 08)
Dr. Joachim Schüller, Dossenheim [JS2] (A) (10)
Richard Schwalbach, Mainz [RS2] (A) (17)
Prof. Dr. Paul Steinhardt, Princeton, USA [PS] (A) (Essay Quasikristalle und Quasi-Elementarzellen)
Prof. Dr. Klaus Stierstadt, München [KS] (B)
Dr. Siegmund Stintzing, München [SS1] (A) (22)
Cornelius Suchy, Brüssel [CS2] (A) (20)
Dr. Volker Theileis, München [VT] (A) (20)
Prof. Dr. Gerald 't Hooft, Utrecht, NL [GT2] (A) (Essay Renormierung)
Dr. Annette Vogt, Berlin [AV] (A) (02)
Dr. Thomas Volkmann, Köln [TV] (A) (20)
Rolf vom Stein, Köln [RVS] (A) (29)
Patrick Voss-de Haan, Mainz [PVDH] (A) (17)
Dr. Thomas Wagner, Heidelberg [TW2] (A) (29)
Dr. Hildegard Wasmuth-Fries, Ludwigshafen [HWF] (A) (26)
Manfred Weber, Frankfurt [MW1] (A) (28)
Priv.-Doz. Dr. Burghard Weiss, Lübeck [BW2] (A) (02)
Prof. Dr. Klaus Winter, Berlin [KW] (A) (Essay Neutrinophysik)
Dr. Achim Wixforth, München [AW1] (A) (20)
Dr. Steffen Wolf, Berkeley, USA [SW] (A) (16)
Priv.-Doz. Dr. Jochen Wosnitza, Karlsruhe [JW] (A) (23; Essay Organische Supraleiter)
Priv.-Doz. Dr. Jörg Zegenhagen, Stuttgart [JZ3] (A) (21; Essay Oberflächenrekonstruktionen)
Dr. Kai Zuber, Dortmund [KZ] (A) (19)
Dr. Werner Zwerger, München [WZ] (A) (20)

Mitarbeiter Band V

Dr. Ulrich Kilian (verantwortlich)
Christine Weber

Redaktionsassistenz:

Matthias Beurer

Physikhistorische Beratung:

Priv.-Doz. Dr. Dieter Hoffmann, Berlin

Autoren (A) und Berater (B):

In eckigen Klammern steht das Autorenkürzel, die Zahl in der runden Klammer ist die Fachgebietsnummer; eine Liste der Fachgebiete findet sich im Vorwort.

Prof. Dr. Klaus Andres, Garching [KA] (A) (10)
Markus Aspelmeyer, München [MA1] (A) (20)
Dr. Katja Bammel, Cagliari, I [KB2] (A) (13)
Doz. Dr. Hans-Georg Bartel, Berlin [HGB] (A) (02)
Steffen Bauer, Karlsruhe [SB2] (A) (20, 22)
Dr. Günther Beikert, Viernheim [GB1] (A) (04, 10, 25)
Prof. Dr. Hans Berckhemer, Frankfurt [HB1] (A, B) (29; Essay Seismologie)
Dr. Werner Biberacher, Garching [WB] (B) (20)
Prof. Tamás S. Biró, Budapest [TB2] (A) (15)
Prof. Dr. Helmut Bokemeyer, Darmstadt [HB2] (A, B) (18)
Dr. Thomas Bührke, Leimen [TB] (A) (32)
Jochen Büttner, Berlin [JB] (A) (02)
Dr. Matthias Delbrück, Dossenheim [MD] (A) (12, 24, 29)
Prof. Dr. Martin Dressel, Stuttgart (A) (Essay Spindichtewellen)
Dr. Michael Eckert, München [ME] (A) (02)
Dr. Dietrich Einzel, Garching (A) (Essay Supraleitung und Suprafluidität)
Dr. Wolfgang Eisenberg, Leipzig [WE] (A) (15)
Dr. Frank Eisenhaber, Wien [FE] (A) (27)
Dr. Roger Erb, Kassel [RE1] (A) (33)
Dr. Angelika Fallert-Müller, Groß-Zimmern [AFM] (A) (16, 26)
Stephan Fichtner, Heidelberg [SF] (A) (31)
Dr. Thomas Filk, Freiburg [TF3] (A) (10, 15)
Natalie Fischer, Walldorf [NF] (A) (32)
Dr. Thomas Fuhrmann, Mannheim [TF1] (A) (14)
Christian Fulda, Hannover [CF] (A) (07)
Frank Gabler, Frankfurt [FG1] (A) (22)
Dr. Harald Genz, Darmstadt [HG1] (A) (18)
Prof. Dr. Henning Genz, Karlsruhe [HG2] (A) (Essays Symmetrie und Vakuum)
Dr. Michael Gerding, Potsdam [MG2] (A) (13)
Andrea Greiner, Heidelberg [AG1] (A) (06)
Uwe Grigoleit, Weinheim [UG] (A) (13)
Gunther Hadwich, München [GH] (A) (20)
Dr. Andreas Heilmann, Halle [AH1] (A) (20, 21)
Carsten Heinisch, Kaiserslautern [CH] (A) (03)
Dr. Marc Hemberger, Heidelberg [MH2] (A) (19)
Dr. Sascha Hilgenfeldt, Cambridge, USA (A) (Essay Sonolumineszenz)
Dr. Hermann Hinsch, Heidelberg [HH2] (A) (22)
Priv.-Doz. Dr. Dieter Hoffmann, Berlin [DH2] (A, B) (02)
Dr. Gert Jacobi, Hamburg [GJ] (B) (09)
Renate Jerecic, Heidelberg [RJ] (A) (28)
Prof. Dr. Josef Kallrath, Ludwigshafen [JK] (A) (04)
Priv.-Doz. Dr. Claus Kiefer, Freiburg [CK] (A) (14, 15)
Richard Kilian, Wiesbaden [RK3] (22)
Dr. Ulrich Kilian, Heidelberg [UK] (A) (19)
Thomas Kluge, Jülich [TK] (A) (20)
Dr. Achim Knoll, Karlsruhe [AK1] (A) (20)
Dr. Alexei Kojevnikov, College Park, USA [AK3] (A) (02)
Dr. Bernd Krause, München [BK1] (A) (19)
Dr. Gero Kube, Mainz [GK] (A) (18)
Ralph Kühnle, Heidelberg [RK1] (A) (05)
Volker Lauff, Magdeburg [VL] (A) (04)
Dr. Anton Lerf, Garching [AL1] (A) (23)
Dr. Detlef Lohse, Twente, NL (A) (Essay Sonolumineszenz)
Priv.-Doz. Dr. Axel Lorke, München [AL] (A) (20)
Prof. Dr. Jan Louis, Halle (A) (Essay Stringtheorie)
Dr. Andreas Markwitz, Lower Hutt, NZ [AM1] (A) (21)
Holger Mathiszik, Celle [HM3] (A) (29)
Dr. Dirk Metzger, Mannheim [DM] (A) (07)
Dr. Rudi Michalak, Dresden [RM1] (A) (23; Essay Tieftemperaturphysik)
Günter Milde, Dresden [GM1] (A) (12)
Helmut Milde, Dresden [HM1] (A) (09)
Marita Milde, Dresden [MM2] (A) (12)
Prof. Dr. Andreas Müller, Trier [AM2] (A) (33)
Prof. Dr. Karl Otto Münnich, Heidelberg (A) (Essay Umweltphysik)
Dr. Nikolaus Nestle, Leipzig [NN] (A, B) (05, 20)
Dr. Thomas Otto, Genf [TO] (A) (06)
Priv.-Doz. Dr. Ulrich Parlitz, Göttingen [UP1] (A) (11)
Christof Pflumm, Karlsruhe [CP] (A) (06, 08)
Dr. Oliver Probst, Monterrey, Mexico [OP] (A) (30)
Dr. Roland Andreas Puntigam, München [RAP] (A) (14)
Dr. Gunnar Radons, Mannheim [GR1] (A) (01, 02, 32)
Dr. Max Rauner, Weinheim [MR3] (A) (15)
Robert Raussendorf, München [RR1] (A) (19)
Ingrid Reiser, Manhattan, USA [IR] (A) (16)
Dr. Uwe Renner, Leipzig [UR] (A) (10)
Dr. Ursula Resch-Esser, Berlin [URE] (A) (21)
Dr. Peter Oliver Roll, Ingelheim [OR1] (A, B) (15)
Hans-Jörg Rutsch, Walldorf [HJR] (A) (29)
Rolf Sauermost, Waldkirch [RS1] (A) (02)
Matthias Schemmel, Berlin [MS4] (A) (02)
Prof. Dr. Erhard Scholz, Wuppertal [ES] (A) (02)
Dr. Martin Schön, Konstanz [MS] (A) (14; Essay Spezielle Relativitätstheorie)
Dr. Erwin Schuberth, Garching [ES4] (A) (23)
Jörg Schuler, Taunusstein [JS1] (A) (06, 08)
Dr. Joachim Schüller, Dossenheim [JS2] (A) (10)
Richard Schwalbach, Mainz [RS2] (A) (17)
Prof. Dr. Klaus Stierstadt, München [KS] (B)
Dr. Siegmund Stintzing, München [SS1] (A) (22)
Dr. Berthold Suchan, Gießen [BS] (A) (Essay Wissenschaftsphilosophie)
Cornelius Suchy, Brüssel [CS2] (A) (20)
Dr. Volker Theileis, München [VT] (A) (20)
Prof. Dr. Stefan Theisen, München (A) (Essay Stringtheorie)
Dr. Annette Vogt, Berlin [AV] (A) (02)
Dr. Thomas Volkmann, Köln [TV] (A) (20)
Rolf vom Stein, Köln [RVS] (A) (29)
Dr. Patrick Voss-de Haan, Mainz [PVDH] (A) (17)
Dr. Thomas Wagner, Heidelberg [TW2] (A) (29)
Manfred Weber, Frankfurt [MW1] (A) (28)
Dr. Martin Werner, Hamburg [MW] (A) (29)
Dr. Achim Wixforth, München [AW1] (A) (20)
Dr. Steffen Wolf, Berkeley, USA [SW] (A) (16)
Dr. Stefan L. Wolff, München [SW1] (A) (02)
Priv.-Doz. Dr. Jochen Wosnitza, Karlsruhe [JW] (A) (23)
Dr. Kai Zuber, Dortmund [KZ] (A) (19)
Dr. Werner Zwerger, München [WZ] (A) (20)

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