Mit einem Rastertunnelmikroskop haben Wissenschaftler um Ali Yazdani von der Princeton-Universität gezielt Mangan-Atome in Galliumarsenid eingebaut. Durch genaue Analyse der Eigenschaften konnten sie so eine Anordnung herausfinden, die dem Material die gewünschten magnetischen Eigenschaften bei höheren Temperaturen als den derzeit nötigen bringen könnte.

Die magnetischen Eigenschaften durch eingebrachte Mangan-Atome zeigen sich bislang nur bei extrem tiefen Temperaturen. Positionierten die Forscher die Fremd-Atome aber in einer speziellen Richtung, die der reihenförmigen Anordnung der Gallium- und Arsen-Atome folgte, verstärkte sich die Wechselwirkung zwischen den Mangan-Nachbarn.

Womöglich lassen sich mit solchen Kombi-Materialien einst Computerchips entwerfen, die gleichzeitig Rechen- und Speicheraufgaben übernehmen. Yazdani und seine Mitarbeiter warnen jedoch vor voreiligen Hoffnungen. Ihre Entwicklung ermöglicht zunächst die weitere Grundlagenforschung, da sich bei normalen Dotierungsverfahren die Position der Fremdatome so exakt steuern lässt.