Zu den Fortschritten, von denen auf dem Treffen der American Chemical Society im texanischen Dallas berichtet wurde, gehören auch Plastiktransistoren mit längerer Lebensdauer. Mögen Transistoren aus Silicium klein und billig sein, organische Transistoren sind hingegen attraktiv, weil sie flexibel genug und kompatibel zu Substraten aus Plastik sind. Eines der größten Probleme besteht jedoch darin, daß organische Substanzen, die in sogenannten n-leitenden Plastikhalbleitern verwendet werden, sich leicht zersetzen, wenn sie Luft oder Feuchtigkeit ausgesetzt sind. Zhenan Bao und seine Mitarbeiter in den Bell Laboratories in Murray Hill, New Jersey, gaben elektrophile Atomgruppen zu einer Klasse organischer Bestandteile (den Metallophthalocyaninen), um n-leitende Materialien zu entwickeln, die einer Oxidation an der Luft widerstehen können. Transistoren aus diesem modifizierten organischen Material überleben an der Luft länger als 6 Monate.

Zur Zeit verbessern die Forscher die Fertigungsmethoden, um größere Schaltkreise mit kleineren Ausmaßen zu produzieren. Früher lag die Auflösungsgrenze der Technik, die so ähnlich funktioniert wie der T-Shirt-Siebdruck, bei etwa 100 Mikrometern. Bao und sein Kollege John Rodgers berichteten von der Herstellung eines Transistors, bei dem dieser Wert nur 1 Mikrometer beträgt. Damit kommt er schon nahe an die sehr feine Auflösung kommerzieller Verfahren zur Produktion von Siliciumtransistoren heran.