Nach einem Jahrhundert hat die klassische Glühbirne als Leuchtmittel mittlerweile ausgedient und wird derzeit europaweit durch kompakte Leuchtstofflampen ersetzt. Doch diese Energiesparlampen sind wegen ihres Gehalts an umweltschädlichem Quecksilber und des unausgewogenen Lichtspektrums umstritten. Es zeichnet sich bereits ab, dass die noch viel effizientere Lichtproduktion aus Halbleiterkristallen sie schon bald vom Markt verdrängen wird.

Heute sind Licht emittierende Dioden, kurz LEDs, aus vielen Anwendungen im Alltag nicht mehr wegzudenken. Jetzt beginnen Leuchtdioden die Lichtindustrie auf Grund ihres geringeren Stromverbrauchs und der langen Lebensdauer zu revolutionieren. LEDs beruhen auf Halbleiterkristallen, die beispielsweise aus Verbindungen von Aluminium, Gallium und Indium mit Stickstoff oder von Aluminium, Gallium und Arsen mit Phosphor bestehen. Sie senden je nach Materialzusammensetzung Licht unterschiedlicher Wellenlängen aus, vom infraroten über den sichtbaren bis in den ultravioletten Spektralbereich. Anorganische Leuchtdioden treten heute als farbige Lichtquellen in vielen Anwendungen auf, beispielsweise als Scheinwerfer, Rücklicht und Tagfahrlicht im Auto, für die Armaturanzeigen im Auto, in Mobiltelefonen oder Displays.

Doch nicht nur für Beleuchtungszwecke sind Energie sparende Halbleiterlichtquellen das Mittel der Wahl. Ein wichtiger gesellschaftlicher Trend strebt nach immer mehr Mobilität bei gleichzeitiger optimierter Bildqualität; damit steigt die Nachfrage nach miniaturisierten Endgeräten wie Smartphones und Tablets, die dennoch große, detailreiche Bilder bieten sollen. Aber wie soll das funktionieren?

Die zunehmende Leistungsfähigkeit mobiler Elektronik erlaubt zwar das Aufnehmen und Übertragen von hochauflösenden Digitalfotos und Videos, aber der Zuwachs an Mobilität geht automatisch mit schrumpfenden Displays einher, wenn die Bildgröße und Auflösung von den Maßen des Mobiltelefons bestimmt wird. Für dieses Dilemma zeichnet sich nun eine Lösung in Gestalt hochintegrierter Halbleiterprojektoren ab, die künftig große, fein aufgelöste Bilder liefern werden.

Solche so genannten Pikoprojektoren sind so winzig, dass sie sich ohne Weiteres in Smartphones, Laptops und Digitalkameras einbauen lassen. Zwar könnten theoretisch dabei LEDs als Lichtquellen dienen – doch sie stoßen an Grenzen, wenn es um möglichst geringe Projektorgröße, hohe Auflösung und Effizienz geht. In dieser Hinsicht punkten Halbleiterlaser gegenüber LEDs mit höherer Strahlqualität und Leistungsdichte; außerdem ermöglichen Laser mit ihrem schmalen Emissionsspektrum eine naturgetreuere Wiedergabe von Farben. Wenn man die Strahlen dreier Laser in den Farben Rot, Grün und Blau kombiniert, lässt sich fast der ganze für das menschliche Auge wahrnehmbare Farbraum darstellen.

Wie erzeugt ein Pikoprojektor seine Bilder? Ein winziger, in zwei zueinander senkrechten Achsen beweglicher Mikrospiegel schreibt mit dem Laserstrahl zeilenweise das Bild auf die Projektionsfläche. Wegen der einzigartigen Strahleigenschaften von Lasern ist eine Projektion auf beliebig gekrümmte Flächen mit großer Tiefenschärfe möglich – ohne dass wie bei konventionellen Projektoren eine spezielle Optik zur Fokussierung nötig wäre.

Doch frequenzverdoppelte Laser haben im Vergleich zu direkt grün emittierenden Laserdioden entscheidende Nachteile: Sie sind teurer, liefern schlechtere Bildqualität und sind vor allem deutlich größer als direkte grüne Laserdioden aus Indiumgalliumnitrid (InGaN).

Nur ist es leider nicht einfach, InGaN-Laserdioden herzustellen, die grünes Licht emittieren; das gelang erst 2009. Seither liefern sich mehrere Forschungs- und Universitätseinrichtungen ein rasantes Kopf-an-Kopf-Rennen mit dem Ziel, die Performance und Prozessstabilität des grünen Lasers großserientauglich zu machen. Sie müssen dabei mehrere Hürden überwinden.

Um mit diesen Materialien einen grünen Laser zu konstruieren, muss der Indiumgehalt in den Licht aussendenden InGaN-Schichten im Vergleich zum blauen Laser erhöht werden. Doch die veränderte Materialzusammensetzung beeinflusst leider nicht nur die emittierte Wellenlänge, also die Farbe des Lichts, sondern gleichzeitig auch drastisch die Gitteranordnung der Atome im Kristall. Die Ursache hierfür liegt in den unterschiedlichen Eigenschaften von Indium- und Galliumatomen.

Beim Erhöhen des Indiumanteils im Kristall werden Galliumatome durch Indiumatome auf gleichwertigen Gitterplätzen ersetzt. Indium liegt aber in einer anderen Stelle im Periodensystem der Elemente als Gallium; seine Atome sind daher größer und weisen andere Bindungsverhältnisse auf.

Das erschwert den Einbau zusätzlichen Indiums, denn die indiumhaltigen Schichten auf den GaN-Substraten stehen unter Spannung. Wird diese allzu groß, setzen so genannte Relaxationsprozesse die gespeicherte Energie im Kristall frei, was zu Versetzungen – eindimensionalen Kristalldefekten – führt.

Um dennoch einen möglichst regelmäßigen Indiumeinbau in das GaN-Kristallgitter zu erreichen, muss die Abscheidung unter speziellen Wachstumsbedingungen ablaufen – die aber wiederum ihrerseits die Kristallqualität verschlechtern. Beispielsweise muss man die Abscheidetemperatur der Substratoberfläche deutlich reduzieren, da sonst das zu nächst an der Oberfläche angelagerte Indium wieder frei würde. Doch die niedrigere Temperatur hemmt die Beweglichkeit der angelagerten Atome auf der Oberfläche; das begünstigt Punktdefekte und ungleichmäßiges Wachstum. Auf diese Weise werden viele unterschiedliche Defekte in den Kristall eingebaut.

Als unser Team bei der Firma Osram Opto Semiconductors daranging, grüne Laserdioden zu entwickeln, war dies eines der ersten Probleme, die es zu lösen galt. In Fotolumineszenzaufnahmen erscheinen defektreiche, rund 20 Mikrometer (tausendstel Millimeter) große Regionen als dunkle Flecken.

Die Defektbereiche produzieren bei optischer Anregung kein Licht und erscheinen daher dunkel gegenüber den Bereichen mit guter Kristallqualität, die grünes Licht emittieren. Da die fehlerhaften Gebiete nicht nur kein Licht aussenden, sondern es sogar absorbieren, verhindern solche Strukturen die Funktion von Laserdioden.

Nachdem wir diese Defekte durch eine geeignete Schichtstruktur und optimierte Wachstumsbedingungen vermeiden konnten, stellten wir fest, dass auch auf kleinerer Skala, in der Größenordnung von 500 Nanometern (millionstel Millimetern), so genannte Indium-Gallium-Fluktuationen auftreten.

Mit dem so genannten Transmissionselektronenmikroskop fanden wir sogar noch winzigere Defekte (um zehn Nanometer). Nur mit derart aufwändigen Nachweismethoden lassen sich feinste Defekte aufspüren, um anschließend die Kristallwachstumsbedingungen optimieren und eine annähernd perfekte Kristallanordnung erreichen zu können.

Die Kristallqualität ist nicht die einzige Herausforderung, die es bei der Entwicklung von grünen Laserdioden zu lösen gilt. Halbleiterverbindungen der Elemente Gallium, Indium und Stickstoff kristallisieren in Form der "Wurtzit-Struktur", deren Elementarzelle eine hexagonale Basis besitzt. Werden nun auf Grund von Spannungen in der Kristallstruktur – die bei dünnen, Licht emittierenden InGaN-Schichten leicht entstehen – Atome in der Elementarzelle ein wenig verschoben, so ändern sich die physikalischen Eigenschaften deutlich.

Die Ladungen in der Elementarzelle geraten aus dem Gleichgewicht, und an dem Kristall entstehen auf Grund des piezoelektrischen Effekts elektrische Felder. Der Effekt ist an sich für grüne Laserdioden und Leuchtdioden erwünscht. Das elektrische Feld verändert die quantenmechanischen Energiezustände an den Grenzflächen der einzelnen Schichten – und somit die Wellenlänge des emittierten Lichts. Leuchtdioden, die bei niedrigen Stromdichten betrieben werden, gelangen dank dieses Effekts zu langwelligerem grünem Licht. Doch Laserdioden erfordern viel höhere Stromdichten, um die stimulierte Emission zu erreichen.

Grünes Licht am Ende des Tunnels

Durch weiteres Optimieren der Wachstumsbedingungen und des Strukturaufbaus ist es den Forschern bei Osram Opto Semiconductors dennoch gelungen, die Kristallqualität zu verbessern und die Emissionswellenlänge der Laserdioden schrittweise in den langwelligeren Bereich zu verschieben.

Die ersten grünen Laserdioden taugten allerdings noch nicht zur Pikoprojektion. Dafür war eine signifikante Verbesserung der elektrooptischen Leistung nötig. Mit ersten grünen Laserdioden konnten erfolgreich Prototypen von mobilen Laserprojektoren demonstriert werden. Für ein marktfähiges Produkt ist eine Verbesserung der elektrooptischen Kenngrößen nötig. Messbar ist diese Verbesserung an der Kenngröße von Laserdioden, dem so genannten Schwellstrom. Er bezeichnet den Strom, bei dem der Laserbetrieb einsetzt und alle Verlustmechanismen unterdrückt sind.

Derzeit nähern sich die Schwellströme der grünen Laser denen der blau emittierenden Laserdioden immer mehr an. Außerdem ist für die Pikoprojektion eine ausreichend hohe optische Ausgangsleistung nötig – doch auch diese Bedingung wird von den neuesten grünen Laserdioden bereits erfüllt. Damit ist nun endlich der Weg frei für winzige, leistungsstarke Farbprojektoren, mit denen künftig ein Smartphone lebensgroße Bilder und Filme an jede Wohnzimmerwand zu werfen vermag.