Rodney McKee und seine Mitarbeiter verwendeten am Oak Ridge National Laboratory in Tennessee erstmals kristalline Oxide anstelle der üblichen amorphen Isolatoren, um einen Metall-Oxid-Halbleiter-Übergang (MOS) zu schaffen. Derartige Strukturen werden beispielsweise in so genannten MOS-Feldeffekttransistoren (MOSFET) genutzt.

Bei einem MOSFET lässt eine über dem Bauteil angelegte Spannung Ladungsträger vom Halbleitermaterial in die Isolatorschicht wandern, wodurch der Stromtransport ermöglicht wird. Jedoch gibt es in konventionellen Isolatoren wie Siliciumdioxid viele Störstellen, welche die Leistung der Bauelemente herabsetzen. Gegenüber den herkömmlichen Isolatoren haben nun die kristallinen Materialien den Vorteil, dass sie weitgehend frei von Defekten sind, das heißt, die Effizienz eines Bauelements aus dem neuen kristallinen Material ist ungleich größer.