Wissenschaftlern des Prozessorherstellers Intel gelang es offenbar, einen winzigen Transistor herzustellen, dessen kleinste Komponente – eine Gate-Elektrode – gerade mal zwanzig Nanometer groß ist. Das Besondere ist, dass diese Struktur nicht mit Hilfe der Elektronenstrahllithographie hergestellt wurde – einem Verfahren, mit dem derart kleine Strukturgrößen leicht zu verwirklichen sind, das jedoch vergleichsweise langsam arbeit. Vielmehr haben die Forscher ein aus der Halbleiterindustrie gängiges photolithographisches Verfahren bei einer Wellenlänge von 248 Nanometern verwandt. Damit wäre auch die Massenproduktion der Transistoren möglich. Laut Rob Willoner aus der Intel-Forschungsabteilung nutzten die Wissenschaftler bei der Herstellung einige "Tricks", die sie jedoch nicht verraten möchten. Noch funktioniert der Transistor ohnehin nicht einwandfrei, denn auch im abgeschalteten Zustand fließt ein kleiner Leckstrom durch das Bauteil.