Cari Herrmann and John Boland von der University of North Carolina in Chapel Hill fanden heraus, dass Löcher, die sie durch ein Ionenbombardement in Silicium herstellen, nicht stabil an einem Fleck verharren, sondern vielmehr auf der Oberfläche des Siliciums umherwandern. Manchmal ergeben sich dabei regelmäßige linienförmige Strukturen, die ein wenig an ein Getreidefeld erinnern. Die Wissenschaftler erkannten ferner, dass der Prozess durch die Temperatur gesteuert wird, wobei die Löcher die energetisch günstigste Lage auswählen. Zuvor hatte man angenommen, dass der Ätzprozess bei tiefen und hohen Temperaturen unterschiedlich abläuft, da sich jeweils andere Muster ausbilden. Dies lässt sich nun jedoch allein durch die Bewegung der Löcher erklären.