Forscher aus Japan haben einen Weg gefunden, vergleichsweise defektfreie Kristalle aus Siliziumkarbid wachsen zu lassen. Der Halbleiter Siliziumkarbid könnte in manchen Bereichen insbesondere bei Hochleitstungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen herkömmliche Siliziumtechnik ersetzen, da er hier mit besseren Eigenschaften aufwarten kann. Bislang gestaltete es sich jedoch äußerst schwierig, Material von der geforderten Güte herzustellen. Herkömmliche Verfahren der Halbleitertechnik wie das Zonenschmelzverfahren lassen sich nicht anwenden, da Siliziumkarbid keine flüssige Phase hat.

Daisuke Nakamura von den Zentralen Toyota-Forschungslabors und seine Kollegen konnten die Zahl der Fehler in Siliziumkarbidkristallen nun minimieren, indem sie den Kristall in mehreren Schritten aus der Gasphase wachsen ließen und dabei die Kristallorientierung wechselten.