Jamal Ramdani und seinen Kollegen von den Motorola Labs in Schaumburg ist es gelungen, den typischen III-V-Halbleiter Galliumarsenid auf Siliciumchips zu fixieren. Bisher verhinderten zu große Unterschiede in den Gitterparametern die Kombination dieser beiden Halbleitermaterialien. Eine Zwischenschicht aus Strontiumtitanat, welche die Fehlpassung ausgleicht, ermöglicht jetzt großflächige und haftende Verbindungen. Mit diesem neuen Verbundmaterial könnten die physikalisch bedingten Leistungsgrenzen von Silicium überwunden werden, ohne die Vorteile der bestehenden und praxiserprobten Halbleitertechnologie aufgeben zu müssen.